A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
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Package / Case
Certified (AEC-Q101...etc)
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  • 2N7002
  • MOSFET - 2N7002 2n7002.pdf
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    • Part Number : 2N7002
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • 2N7002DS6
  • MOSFET - 2N7002DS6 2n7002ds6.pdf
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    • Part Number : 2N7002DS6
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.25 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • 2N7002K
  • MOSFET - 2N7002K 2n7002k.pdf
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    • Part Number : 2N7002K
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • 2N7002K36
  • MOSFET - 2N7002K36 2n7002k36.pdf
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    • Part Number : 2N7002K36
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.25 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23-6L
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  • 2N7002KA
  • MOSFET - 2N7002KA 2n7002ka.pdf
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    • Part Number : 2N7002KA
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.115 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.4 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.225 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 17 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • 2N7002KD1
  • MOSFET - 2N7002KD1 2n7002kd1.pdf
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    • Part Number : 2N7002KD1
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.35 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • 2N7002KS3
  • MOSFET - 2N7002KS3 2n7002ks3.pdf
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    • Part Number : 2N7002KS3
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.32 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2300 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 34 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-323
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  • 2N7002KS6
  • MOSFET - 2N7002KS6 2n7002ks6.pdf
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    • Part Number : 2N7002KS6
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.25 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 80 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • BSS127
  • MOSFET - BSS127 bss127.pdf
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    • Part Number : BSS127
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 0.021 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.07 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • BSS138W
  • MOSFET - BSS138W bss138w.pdf
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    • Part Number : BSS138W
    • Vdss (V) : 50 V
    • Id @ 25C (A) : 0.22 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.25 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 27 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-323
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  • RMP0A5N6092
  • MOSFET - RMP0A5N6092 rmp0a5n6092.pdf
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    • Part Number : RMP0A5N6092
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 0.4 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 4 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 130 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-92
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  • Item Description
  • RI15N1200T7
  • MOSFET - RI15N1200T7 ri15n1200t7.pdf
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    • Part Number : RI15N1200T7
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 150 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RI15N1200TP
  • MOSFET - RI15N1200TP ri15n1200tp.pdf
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    • Part Number : RI15N1200TP
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 150 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-3P
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  • Item Description
  • RI20N1200TT
  • MOSFET - RI20N1200TT ri20n1200tt.pdf
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    • Part Number : RI20N1200TT
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 20 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 345 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 395 W
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • Item Description
  • RI25N1200T7
  • MOSFET - RI25N1200T7 ri25n1200t7.pdf
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    • Part Number : RI25N1200T7
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 25 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 177 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 350 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • Item Description
  • RI25N1200TP
  • MOSFET - RI25N1200TP ri25n1200tp.pdf
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    • Part Number : RI25N1200TP
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 25 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 177 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 350 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-3P
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  • Item Description
  • RI2N60
  • MOSFET - RI2N60 ri2n60.pdf
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    • Part Number : RI2N60
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 2.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4000 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 45 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • RI4N70
  • MOSFET - RI4N70 ri4n70.pdf
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    • Part Number : RI4N70
    • Vdss (V) : 700 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2800 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 106 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 520 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM002N30DF
  • MOSFET - RM002N30DF rm002n30df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM002N30DF
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 85 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 56.9 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 187 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 4345 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM03P30D1E
  • MOSFET - RM03P30D1E rm03p30d1e.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM03P30D1E
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 31 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • Item Description
  • RM03P30S2E
  • MOSFET - RM03P30S2E rm03p30s2e.pdf
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    • Part Number : RM03P30S2E
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 31 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • RM04N30S2
  • MOSFET - RM04N30S2 rm04n30s2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM04N30S2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 3.6 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 58 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 4.0 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 230 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM052N100DF
  • MOSFET - RM052N100DF rm052n100df.pdf
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    • Part Number : RM052N100DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 70 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.6 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 142 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM1002
  • MOSFET - RM1002 rm1002.pdf
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    • Part Number : RM1002
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 2.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 112 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 5.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 190 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM100N30DF
  • MOSFET - RM100N30DF rm100n30df.pdf
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    • Part Number : RM100N30DF
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 100.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 38 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 65 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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