A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
Mounting Style
Package / Case
Certified (AEC-Q101...etc)
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  • 2N7002
  • MOSFET - 2N7002 2n7002.pdf
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    • Part Number : 2N7002
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • 2N7002K
  • MOSFET - 2N7002K 2n7002k.pdf
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    • Part Number : 2N7002K
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 21 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • 2N7002KS3
  • MOSFET - 2N7002KS3 2n7002ks3.pdf
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    • Part Number : 2N7002KS3
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.32 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2300 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 34 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-323
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  • Item Description
  • 2N7002KS6
  • MOSFET - 2N7002KS6 2n7002ks6.pdf
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    • Part Number : 2N7002KS6
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.25 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • 2N7002DS6
  • MOSFET - 2N7002DS6 2n7002ds6.pdf
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    • Part Number : 2N7002DS6
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.25 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.45 V
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • MDZ1N60
  • MOSFET - MDZ1N60 rm1n6092.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : MDZ1N60
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 0.4 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 4 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 130 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-92
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  • Item Description
  • RD5N60
  • MOSFET - RD5N60 rd5n60.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RD5N60
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2000 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 35 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 515 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252
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  • Item Description
  • RI2N60
  • MOSFET - RI2N60 ri2n60.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RI2N60
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 2.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4000 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 45 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RI4N70
  • MOSFET - RI4N70 ri4n70.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RI4N70
    • Vdss (V) : 700 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2800 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 106 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 520 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM04N30S2
  • MOSFET - RM04N30S2 rm04n30s2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM04N30S2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 3.6 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 58 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 4.0 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 230 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM100N30DF
  • MOSFET - RM100N30DF rm100n30df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM100N30DF
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 100.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 38 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 65 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM100N60T2
  • MOSFET - RM100N60T2 rm100n60t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM100N60T2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 100 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 85 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 170 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4800 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM110N150HD
  • MOSFET - RM110N150HD rm110n150hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM110N150HD
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 110 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 150 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 300 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 10000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM110N85T2
  • MOSFET - RM110N85T2 rm110n85t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM110N85T2
    • Vdss (V) : 85 V
    • Id @ 25C (A) : 110 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 54 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 145 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3870 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM11N800TI
  • MOSFET - RM11N800TI rm11n800ti(t2).pdf
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    • Part Number : RM11N800TI
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 11.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 33.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM11N800T2
  • MOSFET - RM11N800T2 rm11n800ti(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM11N800T2
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 11.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 188 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N30DF
  • MOSFET - RM120N30DF rm120n30df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N30DF
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.95 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 63 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 75 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM120N40T2
  • MOSFET - RM120N40T2 rm120n40t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N40T2
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 75 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 130 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.9 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N85T2
  • MOSFET - RM120N85T2 rm120n85t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N85T2
    • Vdss (V) : 85 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 160 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5500 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM1216
  • MOSFET - RM1216 rm1216.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM1216
    • Vdss (V) : 12.0 V
    • Id @ 25C (A) : 16.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 11.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 35 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 18 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2700 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM12N500T2
  • MOSFET - RM12N500T2 rm12n500t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N500T2
    • Vdss (V) : 500 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 520 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM12N650HD
  • MOSFET - RM12N650HD rm12n650ti(hd)(t2).pdf
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    • Part Number : RM12N650HD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263
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  • Item Description
  • RM12N650IP
  • MOSFET - RM12N650IP rm12n650ld-ip.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N650IP
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM12N650LD
  • MOSFET - RM12N650LD rm12n650ld-ip.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N650LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252
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  • Item Description
  • RM12N650TI
  • MOSFET - RM12N650TI rm12n650ti(hd)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N650TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 32.6 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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