A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
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Certified (AEC-Q101...etc)
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  • RMP12N65IP
  • MOSFET - RMP12N65IP rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP12N65IP
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RMP12N65LD
  • MOSFET - RMP12N65LD rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP12N65LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252
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  • RMP12N65TI
  • MOSFET - RMP12N65TI rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP12N65TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • RMP12N65T2
  • MOSFET - RMP12N65T2 rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP12N65T2
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RM2520ES6
  • MOSFET - RM2520ES6 rm2520es6.pdf
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    • Part Number : RM2520ES6
    • Vdss (V) : 25 V
    • Id @ 25C (A) : 1.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.6 pC
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 30 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Package / Case : SOT-23-6L
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  • RM2520ES6
  • MOSFET - RM2520ES6 rm2520es6.pdf
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    • Part Number : RM2520ES6
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.8 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 850 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.8 pC
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.65 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 87 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Package / Case : SOT-23-6L
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  • RI15N1200T7
  • MOSFET - RI15N1200T7 ri15n1200t7.pdf
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    • Part Number : RI15N1200T7
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 150 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RI25N1200T7
  • MOSFET - RI25N1200T7 ri25n1200t7.pdf
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    • Part Number : RI25N1200T7
    • Vdss (V) : 1200 V
    • Id @ 25C (A) : 25 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 177 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 350 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RM35P100T2
  • MOSFET - RM35P100T2 rm35p100t2.pdf
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    • Part Number : RM35P100T2
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 35 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 92 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 104 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 6516 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • RM2020ES9
  • MOSFET - RM2020ES9 rm2020es9.pdf
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    • Part Number : RM2020ES9
    • Vdss (V) : 25 V
    • Id @ 25C (A) : 0.75 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 750 pC
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.15 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.54 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 79 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Package / Case : SOT-363
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  • RM2020ES9
  • MOSFET - RM2020ES9 rm2020es9.pdf
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    • Part Number : RM2020ES9
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.8 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 850 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.8 pC
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.65 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 87 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Package / Case : SOT-363
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  • RMP4N65IP
  • MOSFET - RMP4N65IP rmp4n65ip(ld)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP4N65IP
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 15 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 51 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 580 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RMP4N65LD
  • MOSFET - RMP4N65LD rmp4n65ip(ld)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP4N65LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 15 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 51 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 580 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RMP4N65T2
  • MOSFET - RMP4N65T2 rmp4n65ip(ld)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP4N65T2
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 15 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 100 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 580 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RMP4N65TI
  • MOSFET - RMP4N65TI rmp4n65ip(ld)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP4N65TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 15 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 33 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 580 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RM03P30D1E
  • MOSFET - RM03P30D1E rm03p30d1e.pdf
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    • Part Number : RM03P30D1E
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 0.3 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 31 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • Item Description
  • RM2305B
  • MOSFET - RM2305B rm2305b.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM2305B
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 7.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 740 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM10N100S8
  • MOSFET - RM10N100S8 rm10n100s8.pdf
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    • Part Number : RM10N100S8
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 12 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 27.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1640 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM12N100S8
  • MOSFET - RM12N100S8 rm12n100s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N100S8
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 37.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2250 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM35P30LD
  • MOSFET - RM35P30LD rm35p30ld.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM35P30LD
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 35 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 12.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 34.7 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1345 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252-2L
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  • Item Description
  • RM130N100HD
  • MOSFET - RM130N100HD rm130n100hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM130N100HD
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM130N100T2
  • MOSFET - RM130N100T2 rm130n100t2.pdf
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    • Part Number : RM130N100T2
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • Item Description
  • 2N7002KA
  • MOSFET - 2N7002KA 2n7002ka.pdf
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    • Part Number : 2N7002KA
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.115 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.4 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.225 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 17 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM50N60TI
  • MOSFET - RM50N60TI rm50n60ti.pdf
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    • Part Number : RM50N60TI
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 50 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 50 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 85 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.9 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM50N60IP
  • MOSFET - RM50N60IP rm50n60ip.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM50N60IP
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 50 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 80 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 900 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-251
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