A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
Mounting Style
Package / Case
Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 355 products found )
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  • Item Description
  • RMP8N60TI
  • MOSFET - RMP8N60TI rmp8n60.pdf
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    • Part Number : RMP8N60TI
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1000 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 48 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RMP8N70T2
  • MOSFET - RMP8N70T2 rmp8n70.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP8N70T2
    • Vdss (V) : 700 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 147 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RMP8N70TI
  • MOSFET - RMP8N70TI rmp8n70.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP8N70TI
    • Vdss (V) : 700 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 48 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM10N30D2
  • MOSFET - RM10N30D2 rm10n30d2.pdf
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    • Part Number : RM10N30D2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 11.3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.73 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1415 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PQFN2x2
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  • Item Description
  • RM1A5N30S3AE
  • MOSFET - RM1A5N30S3AE rm1a5n30s3ae.pdf
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    • Part Number : RM1A5N30S3AE
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 1.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 120 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 2.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.5 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 105 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-323
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  • Item Description
  • RM100N60DF
  • MOSFET - RM100N60DF rm100n60df.pdf
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    • Part Number : RM100N60DF
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 100 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 85 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 170 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4800 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM2309E
  • MOSFET - RM2309E rm2309e.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM2309E
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 3.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Polarity : P-Channel
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM115N65T2
  • MOSFET - RM115N65T2 rm115n65t2.pdf
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    • Part Number : RM115N65T2
    • Vdss (V) : 65 V
    • Id @ 25C (A) : 115 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 54 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 160 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 29040 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM110N82T2
  • MOSFET - RM110N82T2 rm110n82t2.pdf
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    • Part Number : RM110N82T2
    • Vdss (V) : 82 V
    • Id @ 25C (A) : 110 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 120 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 200 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 6400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM80N150T2
  • MOSFET - RM80N150T2 rm80n150t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM80N150T2
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 80 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 10.4 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 44.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 210 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 3200 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM150N30LT2
  • MOSFET - RM150N30LT2 rm150n30lt2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM150N30LT2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 150 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 150 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM18N200HD
  • MOSFET - RM18N200HD rm18n200ti(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM18N200HD
    • Vdss (V) : 200V
    • Id @ 25C (A) : 18 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 95 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 9.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 88 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.1 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 491 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263
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  • Item Description
  • RM18N200T2
  • MOSFET - RM18N200T2 rm18n200ti(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM18N200T2
    • Vdss (V) : 200V
    • Id @ 25C (A) : 18 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 95 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 9.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 88 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.1 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 491 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM18N200TI
  • MOSFET - RM18N200TI rm18n200ti(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM18N200TI
    • Vdss (V) : 200V
    • Id @ 25C (A) : 18 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 95 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 9.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 88 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.1 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 491 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM100N60T7
  • MOSFET - RM100N60T7 rm100n60t7.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM100N60T7
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 100 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 85 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 170 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4800 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM5N800HD
  • MOSFET - RM5N800HD rm5n800hd(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RM5N800HD
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 750 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 98 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263
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  • Item Description
  • RM5N800T2
  • MOSFET - RM5N800T2 rm5n800hd(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RM5N800T2
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 750 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 98 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM5N800TI
  • MOSFET - RM5N800TI rm5n800hd(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM5N800TI
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 750 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 32.4 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM20P30D3
  • MOSFET - RM20P30D3 rm20p30d3.pdf
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    • Part Number : RM20P30D3
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 20 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 11.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45.6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2130 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN3x3
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  • Item Description
  • RM15N800HD
  • MOSFET - RM15N800HD rm15n800ti(t2)(hd).pdf
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    • Part Number : RM15N800HD
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 260 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 131 W
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263
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  • Item Description
  • RM15N800T2
  • MOSFET - RM15N800T2 rm15n800ti(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM15N800T2
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 260 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 131 W
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM15N800TI
  • MOSFET - RM15N800TI rm15n800ti(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM15N800TI
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 15 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 260 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 33.2 W
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM130N200T7
  • MOSFET - RM130N200T7 rm130n200t7(t2)(hd).pdf
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    • Part Number : RM130N200T7
    • Vdss (V) : 200 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8.7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 56 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 429 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4970 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • Item Description
  • RM130N200T2
  • MOSFET - RM130N200T2 rm130n200t7(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM130N200T2
    • Vdss (V) : 200 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 9.4 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 56 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 429 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4970 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM130N200HD
  • MOSFET - RM130N200HD rm130n200t7(t2)(hd).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM130N200HD
    • Vdss (V) : 200 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 9.1 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 56 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 429 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4970 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263
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