A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
Mounting Style
Package / Case
Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 383 products found )
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  • Item Description
  • RM2P60S2
  • MOSFET - RM2P60S2 rm2p60s2.pdf
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    • Part Number : RM2P60S2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 1.9 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 170 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 6.3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.4 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 358 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM40N600T7
  • MOSFET - RM40N600T7 rm40n600t7.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM40N600T7
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 40 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 149 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 306 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1530 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • Item Description
  • RM95N65T2
  • MOSFET - RM95N65T2 rm95n65t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM95N65T2
    • Vdss (V) : 65 V
    • Id @ 25C (A) : 95 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 122 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1910 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM2305C
  • MOSFET - RM2305C rm2305c.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM2305C
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 7.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 740 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM100N60HD
  • MOSFET - RM100N60HD rm100n60hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM100N60HD
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 100 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 85 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 170 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4800 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263(D2-PAK)
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  • Item Description
  • RM70P40LD
  • MOSFET - RM70P40LD rm70p40ld.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM70P40LD
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 70 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 7.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 106 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 130 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.9 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5380 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RMP10N60HD
  • MOSFET - RMP10N60HD rmp10n60hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N60HD
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 174 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2030 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263(D2-PAK)
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  • Item Description
  • RM5N150S8
  • MOSFET - RM5N150S8 rm5n150s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM5N150S8
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 4.6 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 63 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 6.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 625 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM120N60T2
  • MOSFET - RM120N60T2 rm120m60t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N60T2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 67 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 180 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RMA7P20ED1
  • MOSFET - RMA7P20ED1 rma7p20ed1.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMA7P20ED1
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.7 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.9 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 52 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • Item Description
  • RMA7N20ED1
  • MOSFET - RMA7N20ED1 rma7n20ed1.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMA7N20ED1
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.7 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 180 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.55 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 40 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • Item Description
  • RM40N40D3
  • MOSFET - RM40N40D3 rm40n40d3.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM40N40D3
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 40 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 27 W
    • Vgs(th) (typ) : 15 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2229 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN3x3
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  • Item Description
  • RM80N100DF
  • MOSFET - RM80N100DF rm80n100df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM80N100DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 80 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 140 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM75P60HD
  • MOSFET - RM75P60HD rm75p60hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM75P60HD
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 75 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 9.2 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 138 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 183 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 8620 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263(D2-PAK)
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  • Item Description
  • RM30P30D3
  • MOSFET - RM30P30D3 rm30p30d3.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM30P30D3
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 30 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 35 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 40 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2150 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN3x3
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  • Item Description
  • RM7N600IP
  • MOSFET - RM7N600IP rm7n600ld(ip).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM7N600IP
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 7.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 14.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 63 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 587 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM7N600LD
  • MOSFET - RM7N600LD rm7n600ld(ip).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM7N600LD
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 7.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 14.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 63 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 587 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RM5N500IP
  • MOSFET - RM5N500IP rm5n500ip.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM5N500IP
    • Vdss (V) : 500 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 17 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 52 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM123
  • MOSFET - RM123 rm123.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM123
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 0.17 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.225 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 20 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RMA9N20S5
  • MOSFET - RMA9N20S5 rma9n20s5.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMA9N20S5
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.87 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 303 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 2.0 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.28 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 43 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-523
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  • Item Description
  • RM100N40DF
  • MOSFET - RM100N40DF rm100n40df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM100N40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 100.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 90 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 65 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.9 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM4P20ES6
  • MOSFET - RM4P20ES6 rm4p20es6.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM4P20ES6
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 39 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 7.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 740 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23-6L
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  • Item Description
  • RM50N250T2
  • MOSFET - RM50N250T2 rm50n250t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM50N250T2
    • Vdss (V) : 250 V
    • Id @ 25C (A) : 50 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 300 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2905 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM2P60Y
  • MOSFET - RM2P60Y rm2p60y.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM2P60Y
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 1.9 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 170 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 6.3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.4 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 358 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM130N30D3
  • MOSFET - RM130N30D3 rm130n30d3.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM130N30D3
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 130 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 65 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 45 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4200 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN3x3
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