A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
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  • RMN60N280T2
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    • Part Number : RMN60N280T2
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 104 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1020 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RMN60N280T7
  • MOSFET - RMN60N280T7 rmn60n280t7.pdf
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    • Part Number : RMN60N280T7
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 104 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1020 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RMN60N280TI
  • MOSFET - RMN60N280TI rmn60n280ti.pdf
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    • Part Number : RMN60N280TI
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 31.2 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1020 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN60N380LD
  • MOSFET - RMN60N380LD rmn60n380ld.pdf
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    • Part Number : RMN60N380LD
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 78.1 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 760 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252
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  • RMN60N380TI
  • MOSFET - RMN60N380TI rmn60n380ti.pdf
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    • Part Number : RMN60N380TI
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 31.2 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 760 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN65N130D8
  • MOSFET - RMN65N130D8 rmn65n130d8.pdf
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    • Part Number : RMN65N130D8
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 24.8 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 69 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 178 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2450 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN8X8
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  • RMN65N130T2
  • MOSFET - RMN65N130T2 rmn65n130t2.pdf
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    • Part Number : RMN65N130T2
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 26.2 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 69 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 178 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2450 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RMN65N130TI
  • MOSFET - RMN65N130TI rmn65n130ti.pdf
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    • Part Number : RMN65N130TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 16.5 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 69 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 41.6 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2450 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN65N190D8
  • MOSFET - RMN65N190D8 rmn65n190d8.pdf
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    • Part Number : RMN65N190D8
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 17.8 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 44 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 125 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1535 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN8X8
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  • RMN65N190TI
  • MOSFET - RMN65N190TI rmn65n190ti.pdf
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    • Part Number : RMN65N190TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 20 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 34.7 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2070 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN65N280TI
  • MOSFET - RMN65N280TI rmn65n280ti.pdf
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    • Part Number : RMN65N280TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 13.5 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 32 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1200 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN65N380LD
  • MOSFET - RMN65N380LD rmn65n380ld.pdf
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    • Part Number : RMN65N380LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 78.1 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 760 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252
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  • RMN65N380TI
  • MOSFET - RMN65N380TI rmn65n380ti.pdf
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    • Part Number : RMN65N380TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 31.2 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 760 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : ITO-220
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  • RMN65N600LD
  • MOSFET - RMN65N600LD rmn65n600ld.pdf
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    • Part Number : RMN65N600LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 7.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 20.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 56.8 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 650 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252
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  • RM5N150S8
  • MOSFET - RM5N150S8 rm5n150s8.pdf
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    • Part Number : RM5N150S8
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 4.6 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 63 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 6.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 625 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • RM120N60T2
  • MOSFET - RM120N60T2 rm120m60t2.pdf
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    • Part Number : RM120N60T2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 67 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 180 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RMN2N1K273
  • MOSFET - RMN2N1K273 rmn2n1k273.pdf
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    • Part Number : RMN2N1K273
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.2 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.15 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 44 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-723
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  • RMN3N4R0T2
  • MOSFET - RMN3N4R0T2 rmn3n4r0t2.pdf
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    • Part Number : RMN3N4R0T2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 89 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 28 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 52 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RMN10N012T2
  • MOSFET - RMN10N012T2 rmn10n012t2.pdf
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    • Part Number : RMN10N012T2
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 48 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 41 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 52 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • RMN65N099T7
  • MOSFET - RMN65N099T7 rmn65n099t7.pdf
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    • Part Number : RMN65N099T7
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 38 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 26 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 277.8 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 4515 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RMN2325S2
  • MOSFET - RMN2325S2 rmn2325s2.pdf
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    • Part Number : RMN2325S2
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 3.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 70 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.25 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 520 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23S
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  • RMN10N3R8HD
  • MOSFET - RMN10N3R8HD rmn10n3r8hd.pdf
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    • Part Number : RMN10N3R8HD
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 137 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.88 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 70 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 150 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 4000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263
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  • RMA7P20ED1
  • MOSFET - RMA7P20ED1 rma7p20ed1.pdf
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    • Part Number : RMA7P20ED1
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.7 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.9 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 52 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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  • RMA7N20ED1
  • MOSFET - RMA7N20ED1 rma7n20ed1.pdf
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    • Part Number : RMA7N20ED1
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.7 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 180 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.55 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 40 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN1006-3
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