A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
Mounting Style
Package / Case
Type
Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 593 products found )
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  • Item Description
  • RMA9N20S5
  • MOSFET - RMA9N20S5 rma9n20s5.pdf
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    • Part Number : RMA9N20S5
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.87 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 303 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 2.0 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.28 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 43 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-523
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  • Item Description
  • RMD02P60ES9
  • MOSFET - RMD02P60ES9 rmd02p60es9.pdf
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    • Part Number : RMD02P60ES9
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.47 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.83 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 42 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • RMD05P60ES9
  • MOSFET - RMD05P60ES9 rmd05p60es9.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD05P60ES9
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 0.47 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.83 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 42 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • RMD0A8P20ES9
  • MOSFET - RMD0A8P20ES9 rmd0a8p20es9.pdf
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    • Part Number : RMD0A8P20ES9
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.8 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 850 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 68 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.65 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 87 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • RMD1N25ES9
  • MOSFET - RMD1N25ES9 rmd1n25es9.pdf
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    • Part Number : RMD1N25ES9
    • Vdss (V) : 25 V
    • Id @ 25C (A) : 1.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 0.6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 30 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • RMD20N40D3
  • MOSFET - RMD20N40D3 rmd20n40d3.pdf
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    • Part Number : RMD20N40D3
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 20 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 17 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 11 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 21 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN3X3
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  • Item Description
  • RMD4A5P20TS
  • MOSFET - RMD4A5P20TS rmd4a5p20ts.pdf
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    • Part Number : RMD4A5P20TS
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 45 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 14 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.14 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1500 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TSSOP-8
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  • Item Description
  • RMD50N40DF
  • MOSFET - RMD50N40DF rmd50n40df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD50N40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 65 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 46 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 48 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2956 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RMD50N40DFV
  • MOSFET - RMD50N40DFV rmd50n40dfv.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD50N40DFV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 65 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 46 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 48 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2956 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RMD50N60DF
  • MOSFET - RMD50N60DF rmd50n60df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD50N60DF
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 50 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 33 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 104 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1920 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RMD5N60S8
  • MOSFET - RMD5N60S8 rmd5n60s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD5N60S8
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 5.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.0 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 979 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RMD7N20ED2
  • MOSFET - RMD7N20ED2 rmd7n20ed2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD7N20ED2
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 6.8 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 13 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 11 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.6 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 780 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN2X2
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  • Item Description
  • RMD7N40DN
  • MOSFET - RMD7N40DN rmd7n40dn.pdf
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    • Part Number : RMD7N40DN
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 20 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 7.6 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.2 W
    • Vgs(th) (typ) : 20 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 513 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN3x3
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  • Item Description
  • RMD8N30S8
  • MOSFET - RMD8N30S8 rmd8n30s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD8N30S8
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 17 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 4.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.5 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 350 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RMD8N40S8
  • MOSFET - RMD8N40S8 rmd8n40s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD8N40S8
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 17 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 11 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 4 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1050 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RMD8N60S8
  • MOSFET - RMD8N60S8 rmd8n60s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMD8N60S8
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 8.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 15 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 58 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2180 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RMP0A5N6092
  • MOSFET - RMP0A5N6092 rmp0a5n6092.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP0A5N6092
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 0.4 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8500 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 3.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 4 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 130 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-92
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  • Item Description
  • RMP10N60HD
  • MOSFET - RMP10N60HD rmp10n60hd.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N60HD
    • Vdss (V) : 600 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 174 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2030 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263(D2-PAK)
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  • Item Description
  • RMP10N65IP
  • MOSFET - RMP10N65IP rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
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    • Part Number : RMP10N65IP
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RMP10N65LD
  • MOSFET - RMP10N65LD rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N65LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RMP10N65T2
  • MOSFET - RMP10N65T2 rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N65T2
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RMP10N65TI
  • MOSFET - RMP10N65TI rmp10n65ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N65TI
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 650 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 45 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 50 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1570 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RMP10N80IP
  • MOSFET - RMP10N80IP rmp10n80ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N80IP
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 59 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 80 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2260 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RMP10N80LD
  • MOSFET - RMP10N80LD rmp10n80ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N80LD
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 59 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 80 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2260 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RMP10N80T2
  • MOSFET - RMP10N80T2 rmp10n80ld(ip)(ti)(t2).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RMP10N80T2
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 700 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 59 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 80 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 2260 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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