A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
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Package / Case
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Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 582 products found )
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  • RM110N150T2
  • MOSFET - RM110N150T2 rm110n150t2.pdf
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    • Part Number : RM110N150T2
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 113 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 7.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 52 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 273 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4362 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM110N82T2
  • MOSFET - RM110N82T2 rm110n82t2.pdf
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    • Part Number : RM110N82T2
    • Vdss (V) : 82 V
    • Id @ 25C (A) : 110 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 120 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 200 W
    • Vgs(th) (typ) : 3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 6400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM110N85T2
  • MOSFET - RM110N85T2 rm110n85t2.pdf
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    • Part Number : RM110N85T2
    • Vdss (V) : 85 V
    • Id @ 25C (A) : 110 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 54 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 145 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.3 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3870 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM110N90DF
  • MOSFET - RM110N90DF rm110n90df.pdf
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    • Part Number : RM110N90DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 80 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 65 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 70 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5040 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
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  • Item Description
  • RM115N65T2
  • MOSFET - RM115N65T2 rm115n65t2.pdf
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    • Part Number : RM115N65T2
    • Vdss (V) : 65 V
    • Id @ 25C (A) : 115 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.9 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 54 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 160 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 29040 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM11N800T2
  • MOSFET - RM11N800T2 rm11n800ti(t2).pdf
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    • Part Number : RM11N800T2
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 11.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 188 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM11N800TI
  • MOSFET - RM11N800TI rm11n800ti(t2).pdf
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    • Part Number : RM11N800TI
    • Vdss (V) : 800 V
    • Id @ 25C (A) : 11.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 33.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2600 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220F
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  • Item Description
  • RM120N30D3
  • MOSFET - RM120N30D3 rm120n30d3.pdf
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    • Part Number : RM120N30D3
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 38 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 65 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3500 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN3X3-8L
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  • Item Description
  • RM120N30DF
  • MOSFET - RM120N30DF rm120n30df.pdf
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    • Part Number : RM120N30DF
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1.95 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 63 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 75 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM120N30T2
  • MOSFET - RM120N30T2 rm120n30t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N30T2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N40DF
  • MOSFET - RM120N40DF rm120n40df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 28.3 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 75 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1827 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PDFN5X6
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  • Item Description
  • RM120N40LD
  • MOSFET - RM120N40LD rm120n40ld.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N40LD
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 65 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 108 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5128 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RM120N40LDV
  • MOSFET - RM120N40LDV rm120n40ldv.pdf
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    • Part Number : RM120N40LDV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 85 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 75 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RM120N40T2
  • MOSFET - RM120N40T2 rm120n40t2.pdf
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    • Part Number : RM120N40T2
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 75 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 130 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.9 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N60T2
  • MOSFET - RM120N60T2 rm120m60t2.pdf
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    • Part Number : RM120N60T2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 67 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 180 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4000 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N85AT2
  • MOSFET - RM120N85AT2 rm120n85at2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N85AT2
    • Vdss (V) : 85 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 37 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 180 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2448 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM120N85T2
  • MOSFET - RM120N85T2 rm120n85t2.pdf
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    • Part Number : RM120N85T2
    • Vdss (V) : 85 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 160 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5500 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM1216
  • MOSFET - RM1216 rm1216.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM1216
    • Vdss (V) : 12.0 V
    • Id @ 25C (A) : 16.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 11.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 35 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 18 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2700 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM123
  • MOSFET - RM123 rm123.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM123
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 0.17 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.225 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 20 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RM12N100LD
  • MOSFET - RM12N100LD rm12n100ld.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N100LD
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 26.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 34.7 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1535 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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  • Item Description
  • RM12N100S8
  • MOSFET - RM12N100S8 rm12n100s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N100S8
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 37.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2250 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM12N500T2
  • MOSFET - RM12N500T2 rm12n500t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N500T2
    • Vdss (V) : 500 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 520 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220
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  • Item Description
  • RM12N650HD
  • MOSFET - RM12N650HD rm12n650ti(hd)(t2).pdf
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    • Part Number : RM12N650HD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-263(D2-PAK)
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  • Item Description
  • RM12N650IP
  • MOSFET - RM12N650IP rm12n650ld(ip).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N650IP
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-251
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  • Item Description
  • RM12N650LD
  • MOSFET - RM12N650LD rm12n650ld(ip).pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM12N650LD
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 11.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 360 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 101 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1285 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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