A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
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Package / Case
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Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 593 products found )
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  • RMD30N40DF
  • MOSFET - RMD30N40DF rmd30n40df.pdf
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    • Part Number : RMD30N40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 30 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 13 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 20 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1250 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
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  • Item Description
  • RMD30N40DFV
  • MOSFET - RMD30N40DFV rmd30n40dfv.pdf
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    • Part Number : RMD30N40DFV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 30 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 13 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 20 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 35 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1250 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • RMD4P20D2
  • MOSFET - RMD4P20D2 rmd4p20d2.pdf
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    • Part Number : RMD4P20D2
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 34.3 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 9.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.1 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 854 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN2X2
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  • Item Description
  • RM40N100HD
  • MOSFET - RM40N100HD rm40n100hd.pdf
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    • Part Number : RM40N100HD
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 40 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 22.7 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 45 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 822 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-263
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  • RM2305C
  • MOSFET - RM2305C rm2305c.pdf
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    • Part Number : RM2305C
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 4.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 7.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 740 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • RM220N150TL
  • MOSFET - RM220N150TL rm220n150tl.pdf
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    • Part Number : RM220N150TL
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 220 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.1 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 158 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 375 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 9320 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TOLL-8L
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  • RMP3N150T7
  • MOSFET - RMP3N150T7 rmp3n150t7.pdf
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    • Part Number : RMP3N150T7
    • Vdss (V) : 1500 V
    • Id @ 25C (A) : 3.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.5 Ohms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 34 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 140 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 1123 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RM105N100DF
  • MOSFET - RM105N100DF rm105n100df.pdf
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    • Part Number : RM105N100DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 104 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.1 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 100 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 67.5 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5980 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
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  • RM65N40DFV
  • MOSFET - RM65N40DFV rm65n40dfv.pdf
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    • Part Number : RM65N40DFV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 65 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 56 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 45 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2448 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RM28N650T7
  • MOSFET - RM28N650T7 rm28n650t7.pdf
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    • Part Number : RM28N650T7
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 28 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 120 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 37.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 260 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2070 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RM35N650AT7
  • MOSFET - RM35N650AT7 rm35n650at7.pdf
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    • Part Number : RM35N650AT7
    • Vdss (V) : 650 V
    • Id @ 25C (A) : 35 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 93 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 80.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 357 W
    • Vgs(th) (typ) : 4.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3009 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-247
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  • RM9P30D2V
  • MOSFET - RM9P30D2V rm9p30d2v.pdf
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    • Part Number : RM9P30D2V
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 9.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN2X2
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RM9P30D2
  • MOSFET - RM9P30D2 rm9p30d2.pdf
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    • Part Number : RM9P30D2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 9.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 16 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN2X2
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  • RM12N20D2
  • MOSFET - RM12N20D2 rm12n20d2.pdf
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    • Part Number : RM12N20D2
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 12.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 1.65 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1069 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN2X2
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  • Item Description
  • RM85P40DFV
  • MOSFET - RM85P40DFV rm85p40dfv.pdf
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    • Part Number : RM85P40DFV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 85 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.3 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 118 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 70 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 6638 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • RM85P40DF
  • MOSFET - RM85P40DF rm85p40df.pdf
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    • Part Number : RM85P40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 85 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.3 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 118 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 70 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.7 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 6638 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6
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  • RM135P40DF
  • MOSFET - RM135P40DF rm135p40df.pdf
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    • Part Number : RM135P40DF
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 135 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.1 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 195 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 131 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 10733 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN5X6-8L
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  • Item Description
  • RM52N150LD
  • MOSFET - RM52N150LD rm52n150ld.pdf
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    • Part Number : RM52N150LD
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 52 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 13.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 55 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 89 W
    • Input Capacitance (Ciss) : 3103 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252(D-PAK)
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